22aPS-52 Gaイオンビーム照射によるSi基板上でのInSbナノドット生成とラマン散乱による評価(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2008-08-25

著者

• 和田 昇

  東洋大工

• 和田 昇

  東洋大院工

• 諸橋 伶

  東洋大工

• 高山 春樹

  東洋大工

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