22aTA-3 有限ゲート電圧下の多層グラフェンにおける量子ホール効果とde Haas van Alphen効果(22aTA 領域4,領域7合同 グラフェン・量子効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 2008-08-25

著者

• Dora Balazs

  Max-Planck-Institut fur Physik komplexer Systeme

• NAKAMURA Masaaki

  Max-Planck-Institut fur Physik komplexer Systeme, Nothnitzer Straβe 38

• Nakamura Masaaki

  Max-planck-institut Fur Physik Komplexer Systeme

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