電子システムの環境中性子線起因のエラーの現状と対策 : マルチノードアップセット問題の台頭(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
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概要
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地上における民生用半導体デバイスのソフトエラーの主因として環境中性子線の影響が2000年前後から顕在化しはじめ、各種の問題が指摘されはじめている。問題の定量化のためには標準的な試験手法が必要でその国際標準化も一昨年中にほぼ収束した。本稿では環境中性子による各種のエラーモードの状況,と試験・シミュレーション方法、および対策について概括する。
- 2008-04-10
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