コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAM技術(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAMデバイス技術について報告する。我々は150nm世代より低消費電力かつ高速アクセス性能を持つ混載DRAMを実現するために「Full Metal DRAM」技術と呼ぶセル技術を導入した。本技術の特徴はセルの寄生抵抗を低減できることと、標準CMOSロジック性能との完全互換生が得られることである。90nm世代からは、High-k容量絶縁膜(ZrO2)技術を導入して、セルサイズの縮小を図り、さらに55nm世代以降、High-kゲート絶縁膜(HfSiON)技術を導入することによりデバイススケーリングと性能向上を行った。
2008-04-10

著者

関連論文

コンシューマエレクトロニクス向け混載DRAM技術(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))

スポンサーリンク