A.C.Conductivity and the Electron Localization in Si MOS-FET under High Magnetic Fields (アンダ-ソン局在の総合的研究(昭和57年度文部省科学研究費研究会報告))

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概要

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• この論文は国立情報学研究所の電子図書館事業により電子化されました。

• 物性研究刊行会の論文
• 1983-07-20

著者

• IWASA Y.

  Institute for Materials Research, Tohoku University

• Miura N.

  Institute of Lowland Technology, Saga University

• Isawa Y.

  Institute For Solid State Physics University Of Tokyo

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