SiCパワーデバイスの特性評価(第2報)

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概要

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• In recent years, next generation SiC (Silicon Carbide) power devices became to be in practical use. Last year, the authors evaluated the switching losses in basic experimental circuit and proposed the most suitable applications of SiC-SBD (Shottkey Barrier Diode). In this study, the authors evaluated SiC-SBD with IGBTs in practical inverter circuit. From the experimental results, switching losses of this inverter is lowered sufficiently over 100kHz frequency range.

• 津山工業高等専門学校の論文

著者

• 牧野 友昭

  津山工業高等専門学校電気工学科:(現)necフィールディング(株)

• 長井 聡

  津山工業高等専門学校電気工学科

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