フラストレートしたS=1一次元反強磁性体CaV_2O_4におけるギャップレスカイラル状態の可能性(京大基礎研短期研究計画「フラストレーションとカイラル秩序」,研究会報告)

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概要

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• 鎖内最近接と次近接交換相互作用とが競合するS=1一次元反強磁性体CaV_2O_4を合成し、磁化率と^<51>V NMRを測定した。低温磁化率及びナイトシフトは温度を下げてもゼロには向かわず、CaV_2O_4がギャップレス磁性体である事を示唆した。S=1フラストレート一次元反強磁性体に対して理論的に予測されているギャップレスカイラル相との比較を行った。

• 物性研究刊行会の論文
• 2000-10-20

著者

• 菊池 彦光

  福井大学工学部物理工学科

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