k・p摂動法による半導体量子井戸における電子g因子の計算
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概要
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Lande g-factor which characterizes the response of electrons to external magnetic field is one of the most important factors in semiconductor opto-magnetic effects. In this report effects of quantum confinements on the electron g-factor in semiconductor quantum wells are discussed. First we introduce Ivchenko's method of calculating g-factor based on k・p high-order perturbation method. Then we examine a simplified k・p method to obtain g-factor in quantum wells. It is found that the simplified method exhibits a good agreement with the experimental trends not only in the unstrained QWs but also in strained QWs.
- 甲南大学の論文
- 2006-12-25
著者
-
市田 正夫
甲南大理工
-
市田 正夫
甲南大院自然:甲南大量子ナノテク研
-
志智 亘
甲南大学大学院自然科学研究科
-
伊藤 哲
甲南大学量子ナノテクノロジー研究所
-
森定 慎介
甲南大学大学院自然科学研究科
-
西岡 愛恵
甲南大学大学院自然科学研究科
-
市田 正夫
甲南大学大学院自然科学研究科
-
安藤 弘明
甲南大学大学院自然科学研究科
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