微細トランジスタ技術と信頼性(3次元構造トランジスタ)(先端LSI技術と信頼性)
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概要
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本稿では,次世代の新しい技術として期待されている3次元構造のトランジスタ技術に関して解説を行う.微細化に伴いシリコン半導体基板を用いたICの製造技術は,新たな展開を迎えつつある.これまで,シリコン半導体基板を用いた製造技術は,微細化のトレンドに従い,着実に進化を遂げながら進んできた.最近では,ゲート長50nm以下のトランジスタを用いた製造技術も製品に採用されつつある.しかし,微細化に伴い従来のプレーナ型の構造から新しい3次元構造が必要になると考えられている.その実用化は,今から約10年後の2016年頃になると予想されているが,最近になってメモリの製造技術への適用検討の報告がなされ始めており,実用化が早まる可能性がある.そこで,現在までに報告されている事例をまとめて,現状の把握と今後の課題等を整理した.特に,最近盛んに報告されているFin型と呼ばれるトランジスタを中心に,その開発の経緯,製造技術の紹介,応用事例及びその信頼性こ関する評価結果をまとめる.
- 2007-07-01