アモルファス酸化物半導体TFTとその回路(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))

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概要

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• アモルファス酸化物半導体を用いるTFTは、活性層を室温で堆積しても、a-Si:H TFTの十倍以上の移動度を示すことで注目を集めている。最近になって、電流ストレスに対する安定性が高いこと、均一性が高いことが次々と明らかとなり、回路やディスプレイパネルの動作も実証され、応用研究が進展している。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2007-06-18

著者

• 雲見 日出也

  キヤノン(株)先端融合研究所

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