IGBTに至るまでのパワーデバイス開発概史 : この30年間のパワーデバイス動作モデルの進歩(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)

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概要

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この30年間余りのパワーデバイスの発展を、著者のデバイス動作モデルの変遷の経験から紹介する。著者はトランジスタ(BJT)の理解に10年、サイリスタの理解に20年、pinダイオードの理解に30年かかった。未だに耐圧の決定機構やキャリアの再結合-対発生現象は不可解である。しかしながら、理解できた範囲のパワーデバイスの動作機構は極めて単純であった。一見困難に思えたのは、的を得たモデルがないことが原因であった。現在、pinダイオードの宇宙線による破壊とかリカバリ動作時の破壊が不可解とされているが、これらも適切なモデルが欠落している可能性が高いと思う。
2007-02-22

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