中・高耐圧パワー半導体の最新動向(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
中・高耐圧クラスのパワー半導体の主役であるIGBTならびにパワーMOSFETについて、その誕生から今日に至るまでの技術開発の歴史を振り返る。特にIGBTにおいては、最先端素子であるトレンチFS-IGBTについて、この構造に至るまでの経緯について解説する。さらにIGBT、パワーMOSFETの課題と今後の動向について述べる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-02-22