C-3-38 シリコン基板上に形成された方向性結合器の漏れ損失と位相変化(導波路解析・設計(1),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)

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概要

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• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2006-03-08

著者

• 中野 久松

  法政大学工学部電子情報学科

• 山内 潤治

  法政大学工学部

• 柴山 純

  法政大学工学部

• 中野 久松

  法政大学工学部

• 大瀬 和洋

  法政大学工学部

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