03aB09 Si中のGaSb量子ドットを用いた光デバイスへの道(光・電子集積回路(OEIC)時代をひらく結晶成長技術,ナノ・エピ分科会シンポジウム,第36回結晶成長国内会議)
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概要
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分子線エピタキシ法で作製したSiをエネルギ障壁とするGaSb量子ドットの光学特性について述べる。10分子層相当のGaSb-Si量子ドットからSiサブギャップの1ミクロン帯に拡がるブロードバンド蛍光が室温まで観測され、10Kにおける電流注入蛍光のパワ効率として0.3%を得た。さらに電流注入モードのSOA構成で電流狭窄なしに一回通過の光利得係数として10dB/cmを上回る値を得た。利得のポンプ強度依存性からは界面に強く局在した3準位電子・正孔系の存在を検証した。単一チップの線状パルス励起により増幅された自然放出光を観測する一方、緩和のごく初期に限って誘導放出光が発生することを見い出した。
- 2006-11-01
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