SiCパワー半導体デバイスの進展,AWAD2006)
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概要
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炭化ケイ素(SiC)はSiの約10倍の絶縁破壊電界強度(E_c)を持ち、高耐圧・低損失の次世代パワーデバイス材料として期待されている。既にSBD(Schottky Barrier Diode)が製品化されてスイッチング電源に組み込まれ始めており、MOSFET, JFET (Junction Field Effect Transistor)などスイッチングデバイスの研究開発も多くの研究機関や企業で活発に行われている。本稿では、実用化へ向けて着実に進展しているSiCパワー半導体デバイスの研究開発の現状と今後の展望について解説する。
- 2006-06-26
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