InGaPエッチング停止層を用いたHEMTとSBDの集積化(化合物半導体デバイスのプロセス技術)

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概要

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• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2006-06-02

著者

• 岡安 潤一

  アドバンテスト研究所

• 八城 貴浩

  アドバンテスト研究所

• 織笠 樹

  アドバンテスト研究所

• 岡安 潤一

  アドバンテスト(株)

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