メリット酸ヘキサメチルエステルを用いた炭素質薄膜の調製
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概要
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熱CVD法により,メリット酸ヘキサメチルエステル(MAHE)を原料とした炭素質薄膜の調製を行い,得られた生成物についてその電子的・光学的性質について検討した.薄膜の生成は480℃以上で進行し,500℃以上から電気伝導率測定可能な薄膜が生成した.MAHEを原料とした場合の特徴は,700℃以下の低温で生成する薄膜の炭素化度が同じ温度で調製した他の原料系に比べより高く,電気伝導率も同様に高いことであった.これは薄膜の成長速度と関連していることが明らかとなった.
- 東海大学の論文
- 2003-03-30