8.三次元デバイス実装技術(<小特集>サブ100nm時代のシステムLSIとビジネスモデル)
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概要
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LSIデバイス実装は多端子化,端子ピッチの微細化とマルチチップ実装が進展している.将来の半導体産業パラダイムシフトの源泉基盤技術として超小型高性能高密度実装におけるベアチップ貫通電極三次元積層実装が登場し,三次元デバイスのSiP(System in Pakage)実用化が間近になりつつある.関連パテント推移と各種積層実装技術の特徴を述べる.今後の実装技術の適切な指標と方向付けのため物理的評価尺度について一提案を行う.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-02-01