21pWF-3 半導体ナノ構造中でのRashba効果に基づくスピン干渉効果(領域4シンポジウム : Rashbaスピン工学に関連する諸問題の現状と展望,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2005-08-19

著者

• 古賀 貴亮

  北大院情報

• 古賀 貴亮

  北大院情報:北大創成

• 古賀 貴亮

  北海道大学大学院情報科学研究科

関連論文

• 23aHW-9 InGaAs量子井戸におけるスピン軌道相互作用最小点での弱局在/反局在とスピン干渉効果(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aHW-8 InGaAs量子井戸におけるラシュバスピン軌道相互作用が大きい領域での反局在解析(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aHW-7 古典ビリヤードシミュレーションによる正方形ループ配列構造におけるジェネリックなスピン干渉パターン(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aXG-1 InGaAs量子井戸長方形ループ配列における異方的なスピン干渉効果(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25aXG-4 InAs対称量子井戸におけるラシュバスピン分離の面内磁場依存性(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25aXG-2 (001)InAlAs/InGaAs/InAlAs量子井戸ナノ構造におけるスピン干渉強度のビリヤードシミュレーション(半導体スピン物性・量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aWH-2 「反転対称」化合物半導体量子井戸におけるドレッセルハウス場とラシュバ場(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20aTA-9 InGaAs/InAlAs量子井戸における三角形ループ配列構造を用いたスピン干渉効果(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 20aTA-10 三角形ループにおけるRashba、Dresselhaus項を含めたスピン干渉効果(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25pXJ-7 GaAs/AlGaAs量子井戸系でのスピン干渉現象の検討(25pXJ 半導体スピン物性(理論),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXB-9 正方形ループ配列構造におけるスピン干渉効果のラシュバ、ドレッセルハウス項を含めた解析(28pXB 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pWF-3 半導体ナノ構造中でのRashba効果に基づくスピン干渉効果(領域4シンポジウム : Rashbaスピン工学に関連する諸問題の現状と展望,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 13aYB-4 Rashba スピン軌道相互作用の制御によるスピン干渉計(半導体スピン物性, 領域 4)
• 29pYF-4 正方形ループ配列にみられるRashbaのスピン軌道相互作用(半導体スピン物性)(領域4)
• 28aZK-11 正方形ループを用いたバリスティックなスピン干渉計
• 26aWQ-11 InGaAs系メゾスコピック正方形ループに見られた異常量子振動の解明に向けた電子ビリヤードシミュレーション(26aWQ 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 26aWQ-10 InGaAs量子井戸におけるスピン軌道相互作用の弱反局在とシュブニコフード・ハース振動のビート解析(26aWQ 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• スピン軌道相互作用を用いた電界によるスピン制御
• 21aTL-2 InGaAsメゾスコピックループ配列における時間反転干渉効果の半古典ビリヤードシミュレーションによる再現(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTL-1 弱局在/反局在測定によるInGaAs量子井戸のスピン軌道相互作用係数の定量的決定(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTL-12 InGaAs二重量子井戸系でのスピン分離とスピンフィルタ効果(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTL-11 InGaAs二重量子井戸系におけるスピンフィルタ効果に関する理論解析(21aTL 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 電子スピン回転とスピン軌道係数の定量的決定 (特集 量子コンピュータ)
• 27aCE-14 InGaAs量子井戸メゾスコピック構造における磁気抵抗量子振動の半古典ビリヤード解析(27aCE 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aCE-13 InGaAs量子井戸メゾスコピックループ構造における磁気抵抗量子振動のRashba電場対称性(27aCE 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aCE-10 InGaAs/InAlAs2重量子井戸におけるシュブニコフビーティング(27aCE 磁性半導体・半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aYF-6 SrTiO_3のラシュバ効果(27aYF Ti酸化物・Ir酸化物,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 20pFE-3 ペロブスカイト酸化物界面における3次ラシュバ効果の解析(20pFE 領域8,領域7合同 電界効果,新物質,熱電材料など,領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 20pFE-3 ペロブスカイト酸化物界面における3次ラシュバ効果の解析(20pFE 領域8,領域7合同 電界効果,新物質,熱電材料など,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pFB-4 Rashba場反転によるメゾスコピック系時間反転量子干渉振動一致度の定量的評価(21pFB 半導体スピン物性・磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pXZE-10 SrTiO_3二次元電子系の極低温磁気輸送測定(26pXZE 領域8,領域7合同 電界効果・薄膜,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29aXL-5 ビリヤード・シミュレーションを用いたメゾスコピックループアレイにおけるスピン軌道相互作用係数とカットオフ長の決定(29aXL 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26pXZE-10 SrTiO_3二次元電子系の極低温磁気輸送測定(26pXZE 領域8,領域7合同 電界効果・薄膜,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27pAW-7 対称な二重量子井戸におけるシュブニコフビーティングの解析(27pAW 半導体スピントロニクス,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク