Si/SiO_2界面の熱輸送解析(J08-2 界面・化合物,J08 原子系の計算力学シミュレーション)
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概要
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Molecular dynamics simulations and lattice vibration analysis were carried out to investigate energy transport through Si/SiO_2 interface on molecular scale. The model potential is of Tersoff type, based on a first principle calculation of the interfacial system. During the MD simulation, the atomic configurations near the interfacial region were autonomously changed from the initial crystaline structure into amorphous one, the thickness of which region was about 4 nm. In the amorphous region, lattice vibrations decay much faster and the thermal conductivity is much lower than the bulk crystals which causes the interfacial thermal registance.
- 社団法人日本機械学会の論文
- 2004-09-04
著者
-
松本 充弘
京都大学
-
松本 充弘
名大・工
-
松本 充弘
京大工
-
松本 充弘
京都大学大学院工学研究科機械理工学専攻
-
伊藤 陽一
京都大
-
梅野 宜崇
京都大
-
伊藤 陽一
京大
-
松本 充弘
京大
-
松本 充弘
京都大・工
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