5p-R-10 MgをドープしたGaNの整流特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1975-03-15
著者
関連論文
- 4a-E-2 断熱圧縮ピンチコイルの2・3の実験
- 6a-H-2 超電導Pd化合物
- 12a-R-13 GaN の気相成長
- 3a-F-6 Nb-Zr線の転移領域における電圧-電流特性
- 3a-F-4 Nb-Zr超電導線の遷移領域における振動現象
- 6p-L-11 超電導線の安定化現象における抵抗及び温度の測定
- 超電導ソレノイドの電気的特性 : 低温
- Nb-Zr (25%) Wireの磁化と電流特性の解析 : 低温
- Pb-In合金の硬超電導物性 : 低温
- 5p-R-10 MgをドープしたGaNの整流特性
- 14a-W-12 エピタキシャルGaNの電気的特性
- 3a-KL-7 G_2NにおけるFree Carrier Absorption
- 25a-Q-9 GaNの気相成長
- 24a-G-7 GaNの赤外吸収
- 6a-M-5 GaNへのAu,Ag及びZnの接触
- VのPeak Effect : 磁性(超伝導)
- 硬超電導体の磁化とTransport Current
- 超電導線
- 6a-H-7 Pb-In合金の硬超電導特性 I
- 6a-H-1 Nb-(25%)Zrの電流特性
- 瞬間強磁場の発生 : 磁性(薄膜, 微粒子)