5p-D-2 表面状態共鳴条件における電子回折強度の温度依存(理論)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1975-03-15

著者

• 大川 保博

  早大理工

• 川村 隆明

  早大理工

• 三宅 静雄

  東理大理工

• 三宅 静雄

  理科大理工

関連論文

• 30a-D-2 角度分解型ELSによる Si の内殻・表面準位間遷移
• 6p-L-7 RHEEDによる菊池像の温度変化II
• 24a-N-3 反射回折(RHEED)における菊池像 III
• 6a-H-9 RHEEDによる菊池像の温度変化
• 6a-H-8 RHEEDによるGaAsの菊池バンドの異常
• 6a-KE-9 表面レゾナンス條件での鏡面反射強度の温度依存性(RHEED)
• 31a-TA-6 角度分解型EELSによるSi(100)2×1表面の内殻励起スペクトルの測定
• 26a-P-8 角度分解型ELSによるSiの内殻 : 表面準位間遷移 II
• 1a-S-7 Si(111)7×7表面準位に由来するF_2ピーク
• 3a-E-2 角度分解エネルギー損失分光におけるD-L,L-D過程
• 3a-E-1 角度分解エネルギー損失分光における表面プラズモン損失過程
• 4a-RJ-6 Si(111)表面のAR-LEELSスペクトルの回折条件による変化
• 14p-T-2 AR-LEELSスペクトルの回折条件による変化
• 29a-L-9 角度分解EELSによるSi(111)の表面プラズモン
• 4a-NR-12 Si(111)7×7表面の角度分解エネルギー損失スペクトル
• 1a-N-5 阻止電位型分析器を用いたSi(111)面からの角度分解スペクトル
• 2p GK-11 Si表面からのLEED電子のエネルギースペクトル
• 6p-T-4 イオンチャンネリングの二次電子放出への影響
• 6a-L-12 表面波共鳴条件における二次電子放出の変化
• 7p-P-10 プロトンによる二次電子放射の入射方位依存性(II)
• 5a-P-2 Si(111)面の表面波共鳴条件における表面構造の観察
• 12a-J-5 表面波共鳴の過度依存性
• 4p-A-4 表面状態共鳴における電子回折強度の温度依存
• 6a-KE-10 表面レゾナンス條件での鏡面反射強度の温度依存性(MEED)
• 7p-H-7 異極鉱の極性決定
• 加藤範夫: 回折と散乱, 朝倉書店, 東京, 1978, viii+323ページ, 21.5×16cm, 4,800円(物性物理学シリーズ, 6).
• 31a-BF-5 ロッシェル塩結晶の完全性ならびにドメイン構造
• 10p-J-14 EXAFSの理論計算
• 22a-N-4 動力学的X線回折理論の基本方程の形式
• 12p-J-4 電子線チャネリングと2次元原子モデル
• 12a-J-8 表面波共鳴条件下の波動場
• 12a-J-7 反射回折における多波効果と表面波共鳴条件
• 5p-D-2 表面状態共鳴条件における電子回折強度の温度依存(理論)
• 5p-D-1 反射電子回折の多波計算
• 3a-B-4 面心立方格子結晶におけるLEED強度の温度依存性
• 7p-P-9 吸収端近傍における回折強度の温度効果I
• 反射電子回折総論: RHEED入門
• 4a-L-6 金属Niの異常分散曲線の微細構造
• 2p-A1-5 Si(111)7×7表面の低速電子線エネルギー損失スペクトルの出射角変化(2p A1 表面・界面,量子エレクトロニクス)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク