Influence of Strain Compensation on Structural and Electrical Properties of InAlAs/InGaAs HEMT Structures Grown on InP
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1999-02-28
著者
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Aguilar Miguel
Dte-etsi-universidad Politecnica De Ciudad-ciudad Universitaria
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Bejar Moez
Leame-umr Cnrs 5512-ecole Centrale De Lyon
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Tardy Jacques
Leame-umr Cnrs 5512-ecole Centrale De Lyon
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Monteil Yves
Lmi-umr-cnrs 5615-universite Lyon
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LETARTRE Xavier
LEAME-UMR CNRS 5512-Ecole Centrale de Lyon
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ROJO-ROMEO Pedro
LEAME-UMR CNRS 5512-Ecole Centrale de Lyon
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GENDRY Michel
LEAME-UMR CNRS 5512-Ecole Centrale de Lyon
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PY Marcel
IMO-Ecole Polytechnique Federale de Lausanne
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BECK Matthias
IMO-Ecole Polytechnique Federale de Lausanne
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BUHLMANN Hans
IMO-Ecole Polytechnique Federale de Lausanne
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REN Lin
IMO-Ecole Polytechnique Federale de Lausanne
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VILLAR Constantino
DTSCIT-ETSI-Universidad de Valladolid-Real de Burgos
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SANZ-HERVAS Alfredo
DTE-ETSI-Universidad Politecnica de Madrid-Ciudad Universitaria
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SERRANO Jose
DTE-ETSI-Universidad Politecnica de Ciudad-Ciudad Universitaria
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BLANCO Jose
DTE-ETSI-Universidad Politecnica de Ciudad-Ciudad Universitaria
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MARTY Olivier
DPM-UMR-CNRS 5586-Universite Lyon
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SOULIERE Veronique
LMI-UMR-CNRS 5615-Universite Lyon