High Speed Bipolar ECL Devices Using a Vertically Isolated Self-Aligned Transistor : A-4: LSI-3 AND JUNCTION DEVICES

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人応用物理学会の論文
• 1983-02-28

著者

• Kawakita K.

  Semiconductor Research Laboratory

• FUJITA T.

  Semiconductor Research Laboratory

• SAKAI H.

  Semiconductor Research Laboratory

• TAKEMOTO T.

  Semiconductor Research Laboratory

関連論文

• High Speed Bipolar ECL Devices Using a Vertically Isolated Self-Aligned Transistor : A-4: LSI-3 AND JUNCTION DEVICES

スポンサーリンク