MNOS Retention-Endurance Characteristics Enhancement Using Graded Nitride Dielectric : A-3: LSI-2
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1983-02-28
著者
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Hsia Yukun
Fairchild Microprocessor Division
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Mei Eden
Mcdonnell Douglas Microelectronics Center
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NGAI Kia
Naval Research Laboratory