Intrinsic Polarised Emission from InAs/GaAs(311)A Quantum Dots
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概要
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Dependence on the exact growth condition of the InAs/GaAs quantum dot emission polarisation has been tested for (100) and (311) A substrates. Polarised emission, reproducible in intensity and direction and independent of the coverage, has been achieved by self-assembling InAs quantum dots on (311)A GaAs substrates only. The quantum dots emission is stably polarised along the [233] crystallographic direction with a polarisation ratio of about 12%.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1999-08-15
著者
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Henini M.
School Of Physics And Astronomy University Of Nottingham
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Sanguinetti S.
I.N.F.M. and Diparimento di Scienza dei Materiali, Universita di Milano
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Castiglioni S.
I.N.F.M. and Diparimento di Scienza dei Materiali, Universita di Milano
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Grilli E.
I.N.F.M. and Diparimento di Scienza dei Materiali, Universita di Milano
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Guzzi M.
I.N.F.M. and Diparimento di Scienza dei Materiali, Universita di Milano
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Panzarini G.
I.N.F.M and Dipartimento di Fisica "A. Volta", Universita di Pavia
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Andreani L.C.
I.N.F.M and Dipartimento di Fisica "A. Volta", Universita di Pavia
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Guzzi M.
I.n.f.m. And Diparimento Di Scienza Dei Materiali Universita Di Milano
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Grilli E.
I.n.f.m. And Diparimento Di Scienza Dei Materiali Universita Di Milano
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Panzarini G.
I.n.f.m And Dipartimento Di Fisica "a. Volta" Universita Di Pavia
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Andreani L.c.
I.n.f.m And Dipartimento Di Fisica "a. Volta" Universita Di Pavia
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Sanguinetti S.
I.n.f.m. And Diparimento Di Scienza Dei Materiali Universita Di Milano
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Castiglioni S.
I.n.f.m. And Diparimento Di Scienza Dei Materiali Universita Di Milano