The Effect of Hydrogen Addition on the Fluorine Doping Level of SiOF Films Prepared by Remote Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Using SiF_4-Based Plasmas
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1998-11-15
著者
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Ortiz A
Instituto De Investigaciones En Materiales Universidad Nacional Autonoma De Mexico
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Alonso Juan
Instituto De Investigaciones En Materiales Universidad Nacional Autonoma De Mexico
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ORTIZ Armando
Instituto de Investigaciones en Materiales, Unversidad Nacional Autonoma de Mexico
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Ortiz Armando
Instituto De Investigaciones En Materiales Unversidad Nacional Autonoma De Mexico
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PANKOV Vladimir
Instituto de Investigaciones en Materiales, Universidad Nacional Autonoma de Mexico
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Pankov V
Univ. Nacional Autonoma De Mexico Mexico Mex
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Pankov Vladimir
Instituto De Investigaciones En Materiales Universidad Nacional Autonoma De Mexico
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