Direct Determination of Relaxation Parameters in Deep-Level Transient Spectroscopy Experiments
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概要
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A robust technique for deep-level transient spectroscopy is presented. The method is based on a single temperature scan of capacitance transients. The relaxation parameters, energy trap level, amplitude and pre-exponential factor, can be directly computed from experimental data by means of a set of closed-form expressions. The usefulness of this method is tested by analyzing the deep-level signal on a palladium-doped silicon diode
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1996-04-15
著者
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Hernandez Pablo
Dpto. Electricidad Y Electronica Facultad De Ciencias Universidad De Valladolid
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Enriquez Lourdes
Dpto. Electricidad Y Electronica Facultad De Ciencias Universidad De Valladolid
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ALEJOS Oscar
Dpto. Electricidad y Electronica, Facultad de Ciencias, Universidad de Valladolid
-
Alejos Oscar
Dpto. Electricidad Y Electronica Facultad De Ciencias Universidad De Valladolid
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Francisco De
Dpto. Electricidad Y Electronica Facultad De Ciencias Universidad De Valladolid
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MARIA MUNOZ
Dpto. Electricidad y Electronica, Facultad de Ciencias, Universidad de Valladolid
-
VICENTE Jose
Dpto. Electricidad y Electronica, Facultad de Ciencias, Universidad de Valladolid
-
Maria Munoz
Dpto. Electricidad Y Electronica Facultad De Ciencias Universidad De Valladolid
-
Vicente Jose
Dpto. Electricidad Y Electronica Facultad De Ciencias Universidad De Valladolid
-
Hernandez Pablo
Dpto. Electricidad y Electronica, Facultad de Ciencias, Universidad de Valladolid
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