Minority-Carrier Lifetime in Heavily Doped GaAs:C
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1993-01-30
著者
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Ruhle Wolfgang
Fachbereich Physik Und Wissenschaftliches Zentrum Fur Materialwissenschaften Der Philipps-universita
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Heberle A
Hitachi Cambridge Lab. Cambridge Gbr
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Heberle A.
Max-planck-institut Fur Festkorperforschung
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STRAUSS U.
Max-Planck-Institut fur Festkorperforschung
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ZHOU X.
Max-Planck-Institut fur Festkorperforschung
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RUHLE W.
Max-Planck-Institut fur Festkorperforschung
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LAUTERBACH T.
Fraunhofer-Institut fur Angewandte Festkorperphysik
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BACHEM K.
Fraunhofer-Institut fur Angewandte Festkorperphysik
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HAEGEL N.
Department of Material Science and Engineering, University of California
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Ruehle W
Philipps‐univ. Marburg Deu
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Haegel N.
Department Of Material Science And Engineering University Of California
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