Substrate Bias Characteristics of ^<31>P^+ Implanted N-Channel MOS FET
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1974-10-05
著者
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Nakano Motoo
Semiconductor Division Fujitsu Limited
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WADA Kunihiko
Semiconductor Division, Fujitsu Limited
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Wada Kunihiko
Semiconductor Division Fujitsu Limited