マイクロ波GaAsFETの最近の進歩
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概要
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現在GaAsFETは, UHF帯からKu帯(18GHzまで)にいたる周波数帯域で最も重要な半導体デバイスとなりつつある.低雑音用FETは, 12GHzでNF1.5dBが実用レベルになり, 18GHzでも2dBを切る, データが報告されている.パワーFETは6GHzで25Wが達成され, C帯は完全にGaAsFETの実用化時代に入った.Ku帯では, 数Wクラスの素子の開発が急がれている.次世代のデバイスとして, 高移動度電子トランジスタ(HEMT)が登場した.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1981-09-01