マイクロ波半導体大出力素子とその応用
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概要
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マイクロ波半導体大出力素子として, トランジスタ, ガンダイオード, インパットダイオードの最近の進歩を主として出力電力の面から展望した.トランジスタはキャリヤの走行時間を無視できるような微細構造としなければならないため, 10GHz以上で使える大出力素子は現われていない.ガンダイオード, インパットダイオードは2端子素子で使いにくいが, 走行時間効果を利用しているため, マイクロ波, ミリ波の広い周波数にわたって大出力が得られる.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1974-03-01
著者
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