半導体素子の特性(I) : (第3回)(半導体物性とデバイス)
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概要
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前回までに説明された半導体を記述する概念のうち, 少数キャリヤのライフタイム(τ_n, τ_p), 移動度(μ_n, μ_p), 拡散定数(D_n, D_p), 不純物濃度(N_D, N_A)などを用いて, 基本的なデバイスである接合ダイオード, 接合トランジスタ, 接合電界効果トランジスタおよびMOSトランジスタの動作原理を, 物理現象に重点をおいて述べる.次に動作原理から等価回路を導く.ここで述べられなかった主要なデバイスは次回に解説する.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1973-09-01