500MHz, 30Wシリコンエピタキシャルプレーナトランジスタ

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概要

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• トランジスタの高周波等価回路に示される, 素子パラメーターと電力利得などの高周波特性との相関性にふれ, 2SC1019が, いかなる素子パラメーターに着眼して設計されたか, また, その電気的特性および応用例について述べる.

• 社団法人映像情報メディア学会の論文
• 1970-08-01

著者

• 井上 功

  三菱電機株式会社北伊丹製作所

• 楠 和郎

  三菱電機株式会社北伊丹製作所

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