Si単結晶をターゲットに用いた撮像管
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概要
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単体半導体として知られているGeやSiのpn接合を用いた光電変換素子が, 光量子効率も高く光応答速度もかなり速いことに着目し, Si単結晶プレーナー技術を用いて分離独立した多数のpnまたはnpn接合をモザイク状に作り, これをターゲットとする新しいタイプの撮像管を試作し, 常温での撮像実験に成功した。またさらに, npn形では電流利得が1を越えている事実を理論的にも実験的にもほぼ推定でき, 初期の目的とする低残像で電流利得が1を越す撮像管実現の見通しをたてることができた。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1968-04-01
著者
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