金屬誘導横向結晶薄膜晶体管的表觀閾値電壓的降低

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概要

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• 在傳統的自對准金屬誘導横向結晶("MILC"=metal induced lateral crystallization)薄膜晶体管("TFT"=thin film transistor)結〓中, 覆蓋于源漏區之上的誘導金屬一方面将溝道區由兩側誘導横向晶化(MILC), 〓一方面誘導源漏區本身金屬誘導晶化("MIC"=metal induced crystallization), 従而在MILC溝道區与MIC源漏區之間形成明埆的晶界。本文表明這些溝道區邊縁的MILC/MIC晶界的存在将影響TFT的表觀閾電壓(apparent V_T);将這些MILC/MIC晶界従源漏的結區消除, 或者對其進行〓气鈍化處理, 都可以有効地降低V_T。

• 社団法人映像情報メディア学会の論文
• 1999-03-19

著者

• 王 文

  香港科技大學電机及電子工程系 顯示器中心

• 郭 海城

  香港科技大學電机及電子工程系 顯示器中心

• 郭 〓城

  香〓科技大〓電机及電子工〓系、〓示〓中心

• Bhat Gururaj

  香港科技大学電机及電子工程系 顯示器中心

• Bhat Gururaj

  香港科技大學電机及電子工程系 顯示器中心

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