高品質シリコン単結晶の新らしい製法 : 磁場応用チョクラルスキー法(MCZ法)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

著者

• 大久保 安教

  ソニー厚木工場半導体事業部

• 伊沢 伸幸

  ソニー厚木工場半導体事業部

• 星 金治

  ソニー厚木工場半導体事業部

• 鈴木 利彦

  ソニー厚木工場半導体事業部

関連論文

• 磁場中シリコン結晶の成長
• 高品質シリコン単結晶の新らしい製法 : 磁場応用チョクラルスキー法(MCZ法)

スポンサーリンク