選択成膜法によるフラットディスプレイ用電極のガラス基板表面への埋設
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概要
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我々はガラス表面に設けた配線電極による段差を、選択成膜法による埋設処理で完全に解消できることを見いだした。この新しい電極の埋設微細加工の方法は、フォトリソグラフィと成膜技術のみで構成され、ガラスエッチング、リフトオフ、研磨などの複雑な処理を必要としない。実験では100mm角のガラス基板にCrの電極パターンを埋め込み、表面段差を±5nm程度以内にコントロールできた。埋設の手順は : (1)ガラス基板上に電極を成膜する。(2)電極をパターニングしそのとき使用したレジストを残す。(3)LPD法によりハターンの隙間にSiO_2を成膜する(このときレジスト表面にはSiO_2は析出しない)。(4)レジストを剥離する。以上で電極の埋設は完了である。この技術はフラットディスプレイなどの比較的大面積のデバイスにも適しており、今後様々な用途開発が期待される。
- 1995-02-17
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