TFT-LCDにおける光リーク電流低減TFT構造
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概要
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アモルファスシリコンTFT-LCDにおいて、光リーク電流の少ないTFTを開発した。このTFTでは、従来の製造工程を変更せずにTFT形状の工夫によって光リーク電流を低減することができる。このTFTの開発に先だって、まずTFTのチャネル内における光リーク電流の径路がチャネル端部であることを実験的に見い出した。そして液晶セル内におけるTFT上の不均一な入射光量分布を解析的に算出した。光リーク電流はこの入射光量分布に大きく依存する。これらのことがら、チャネル端部のゲート電極のみを大きくすることにより、そこへ入る光量を減らし、光リーク電流を低減した。この効果は液晶セル内のTFT特性によって確認された。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1995-02-17
著者
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渋沢 誠
東芝
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渋沢 誠
(株)東芝 電子技術研究所
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菅原 淳
東芝
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三浦 靖憲
東芝
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菅原 淳
(株)東芝研究開発センター材料デバイス研究所
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清木 正寛
(株)東芝液晶事業部
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三浦 靖憲
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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