エキシマレーザー結晶化Poly-Siの物性評価とTFT特性 : 情報ディスプレイ
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概要
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a-S1のエキシマレーザー結晶化について、ラマンスペクトル、エリプソメトリー、SEMを用いてpoly-Siへの結晶化過程を評価した。結晶化過程において膜表面にラフネスが発生し、このラフネスの影響及びa-Siからpoly-Siへの相変化がラマンピーク強度に対応した。ラマンピーク強度はTFTの電界効果移動度との相関が強いが、結晶粒径サイズと比例関係にない。Poly-Siへの結晶化過程において、出発膜にある一定以上のエネルギーを照射することで膜表面はアブレーションを発生する。そして、結晶成長するまでに潜伏期間が存在し、この状態を経て結晶成長とともに表面ラフネス現象が進行する。潜伏期間を経過して成長したpoly-Si膜は、TFTの移動度が大きく、粒成長が促進されていることが確認できた。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1994-02-18
著者
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