カラムナープラズマCVDによるSiN_xの成膜 : 非発光型ディスプレイ関連 : 情報ディスプレイ

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概要

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1バッチで大量の基板処理のできるカラムナープラズマCVD方法を用いて、SiN_X膜を成膜した。成膜されたSiN_X膜は、その反応が反応律速領域と供給律速領域のどちらで起こったかにより大きく異なる。絶縁膜としては、反応律速領域の膜が優れている。また、供給律速領域ではSiクラスターが発生することで膜質を悪化させていることがわかった。
社団法人映像情報メディア学会の論文
1993-02-18

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