150万画素VMIS撮像素子 : 基板電荷変調方式を用いた新しい4.2μm,150万画素撮像素子(固体撮像技術および一般)

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概要

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• 4.2μmの画素サイズを持つ150万画素撮像素子を、埋め込みフォトダイオードとMOSFETひとつで構成した。この撮像素子は、単層ポリ・3層メタルの0.35μm CMOSプロセス技術に6枚の追加マスクによって作られた。MOSFETのソースの周りに局所的に濃度を高めたP領域に蓄積されるホールの数をソース電圧変化へ変換する。このP領域を我々は「ホール・ポケット」と呼び、この素子を「VMIS」と呼ぶ。この技術により、低ランダム雑音、低暗電流、良い色再現性、高感度、高解像度を達成した。

• 社団法人映像情報メディア学会の論文
• 2002-03-18

著者

• 山本 修治

  イノテック株式会社

• 川尻 和廣

  イノテック株式会社

• 小森 寛文

  イノテック株式会社

• 三井田 高

  イノテック株式会社

• 寺籠 博裕

  イノテック株式会社

• 遠藤 勉

  イノテック株式会社

• 岡崎 有

  イノテック株式会社

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