全散乱パラメータによる広帯域増幅回路の線形解析
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概要
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現在、製造メーカでは高周波用アクティブデバイス(HEMT,HBT等)の2ポートシリーズモード散乱パラメータをデータシートに公表している一方で、受動素子(R,L,C等)の散乱パラメータを提供していない会社もある、提供しても1ポート散乱パラメータ、2ポート散乱パラメータ、シリーズモード、シャントモードといろいろな形式になっている。それで、本論文では、受動素子もアクティブデバイスのようにフル2ポート(50Ω終端)シリーズモード散乱パラメータで評価することと、それを回路に用いる場合の計算方法として、伝送ラインコンポーネントも散乱パラメータで表し、回路の諸特性も散乱パラメータで計算する解析方法が提案されている。また、0.05〜18GHzの周波数帯域において、この解析方法を広帯域増幅器に応用し、計算結果と実験結果を比較検討した。この解析方法には、散乱パラメータだけを用いているので、全散乱パラメータ解析法と名づけた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-15
著者
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