高速PNPトランジスタ
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概要
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現在、メモリテスタ、LSIテスタの高速化に伴い、コンプリメンタリ動作に使用されるPNPトランジスタの高f_t化の要求が強い。そこで最少寸法0.5μmの微細化技術と、ポロンイオン注入されたポリシリコンからの固相拡散によるエミッタ形成技術により、f_t=8.5GHzを達成したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
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石井 正樹
Necエレクトロンデバイス 化合物デバイス事業部
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加藤 博
Necエレクトロンデバイス 化合物デバイス事業部
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松木 純一
山形日本電気株式会社
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石井 正樹
山形日本電気株式会社
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加藤 博
日本電気株式会社
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高野 勇
山形日本電気株式会社
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小瀬 泰
日本電気株式会社
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小瀬 泰
Nec
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