MOCVD法によりサファイア基板上に作製したAlGaN/GaNヘテロ構造の特性
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-07
著者
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WANG T.
徳島大SVBL
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Bai J.
Department Of Electrical And Electronic Engineering University Of Tokushima
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Nakagawa D.
Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Tokushima
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Shirahama T.
Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Tokushima
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Sakai S.
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