0.25μm露光対応光近接効果補正

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概要

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LSIの集積度が増加するにつれ、より微細な回路パターンを加工する露光技術が要求されている。256MDRAMの時代には設計ルールは0.25μmレベルに達する。しかし、光露光には光の波長に起因する解像限界が存在する。解像限界近傍では、光の回折や干渉により光学像が歪んでしまい、マスクの設計パターン通りにレジストパターンが形成できなくなる。この様な現象は光近接効果と呼ばれている。ライン配列と孤立ラインを同じ寸法Wでマスク設計した場合に、両者のレジスト寸法差ΔWを計算した結果を図1に示す。KrFエキシマステッパを用いても0.25μmでは寸法差は許容範囲とされる10%を越してしまう。寸法差を抑えるためには、マスクパターンに補正を加える必要がある。本報告では、この光近接効果補正を高速に精度良く行う方法を提案し、デバイスパターンへの適用を試みる。[figure]
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-09-05

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