S0Rリソグラフィによるサブ1/4μmデバイス試作
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概要
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X線リソグラフィは、X線強度やレジスト感度の低さのための低生産性および等倍転写の帰結として必然となるマスク精度確保の困難性などが大きな課題であった。近年、半導体製造用X線源として小型で強力なSOR光源や化学増幅レジスト材料の開発により生産性向上が図られ、また、X線マスク技術もパタン形成技術や欠陥低減技術の進歩により高品質化が図られてきた。これらリソグラフィとしての要素技術の向上によりLSI試作への適用も試みられている。ここでは、SOR光を用いたX線リソグラフィによる0.2μmLSITEG試作適用について述べ、この技術を展望したい。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05