半導体デバイス用インジェクションイオナイザ

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概要

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LSIの高集積化に伴って、静電気障害に基づく製品の歩留低下が問題となっている。この歩留低下は、クリーンルーム内に存在する微粒子がSiウェハ表面に静電吸着するため、およびデバイスが静電破壊するために発生する。このような静電障害の対策には、コロナ放電を利用したイオナイザが用いられている。しかし、イオナイザと被除電物間の距離が長くなると、エミッタから発生したイオンの飛散や再結合の確率が高くなるため除電効果が低下する。そこで、我々は被除電物へのイオン到達率を高めるために、パイプ状のエミッタを使用し、その中央から気体を噴射させる構造のイオナイザ、すなわちインジェクションイオナイザの実用化を検討している。
1995-09-05

著者

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