シンプルプロセストランジスタの回路シミュレーションモデリング

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• LOCOS等の酸化膜を用いず、イオン注入によるPN接合だけを用いて素子分離をおこなうプロセスがある。構造が単純であることから、シンプルプロセスと呼んでいる。 本報告では、シンプルプロセスのトランジスタに対する回路シミュレーション用モデリング方法について述べる。

• 1997-08-13

著者

• 鈴木 成次

  シャープ株式会社ic開発本部設計技術開発センター

• 田中 隆吉

  シャープ株式会社 Icシステム開発センター

• 森川 佳直

  シャープ株式会社 メモリー技術センター

• 中林 啓司

  シャープ株式会社 ICシステム開発センター

• Barker G.J.

  シャープ株式会社 ICシステム開発センター

関連論文

• FD型SOIにおける基板浮遊効果についての解析
• シンプルプロセストランジスタの回路シミュレーションモデリング

スポンサーリンク