GaAs MESFETを用いた44 Gbit/sセレクタIC
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概要
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光伝送システムにおいてセレクタICは時分割多重機能を実現するキーデバイスである。これまでに、40Gbit/s以上のセレクタICが通常のECLやSCFL構成で発表されている。更なる高速回路動作にはトランジスタへの速度要求のみでは困難であり、回路構成からの寄与が望まれる。今回我々は、全帰還回路とインダクタピーキングを併用したセレクタコアを考案し、ゲート長0.12μm GaAs MESFETにより40Gb/s級セレクタICを試作し、良好な結果を得たので報告する。
- 1997-08-13
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